전기전자(44)
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수퍼커패시터와 용량에 대하여
수퍼 커패시터란 리튬배터리와 같은 충전 배터리와 일반 범용 커패시터의 장점을 두루 갖춘 에너지 저장수단이다. 장점 1. 큰 에너지를 저장. 2. 순간 방전능력 Electronics DIY를 경험한 공학도라면 여러 형태의 캐패시터를 다루어보았을 것이다. 전원장치에 사용하는 수천 [uF] '전해 캐패시터(Electrolytic Capacitor)'부터 소 전력 회로장치에 들어가는 수[pF]의 '세라믹 커패시터(Ceramic Capacitor)'까지, 커패시터의 종류와 모양의 범위도 넓다. 그러나 '슈퍼 커패시터' 라는 명칭에 맞게 매우 거대한 용량을 기대할 수 있다. 예시로 비교하면 '공칭용량(Nominal Capacity)'이 500[F]인 커패시터와 전원장치에 들어가는 상당히 큰 용량의 '전해커패시터'가..
2021.06.02 -
전해/세라믹 Capacitor(캐패시터) 선정법
캐패시터는 중요한 수동 소자이다. 이 중 세라믹/전해 캐패시터가 많이 사용되는데 올바른 캐패시터 선정법에 대해 알아보자. 1. 커패시턴스 선정 - 저항 선정과 같이 설계에 필요한 캐패시턴스을 선정한다. 이후에 크기와 내압, 온도 등을 갖는 커패시터를 선정할 수 있다. 보통 커패시터의 오차율이 5%~20% 를 넘지 않도록 한다. 아래 첨부한 표는 사용되는 커패시터값이다. 만약 커패시턴스에 따라서 민감한 반응을 보이는 회로를 설계하고 할때, 한 종류의 커패시터를 단일로 설계하는 것이 아닌 병렬로 설계하여 추가되는 캐패시터에 따라서 정밀하게 값을 교정하여 사용할 수 있도록 회로 설계에 반영해야 한다. 2-1. 세라믹 캐패시터의 내압/ 크기 선정 - 1번에서 설계하고자 하는 캐패시턴스를 갖는 캐패시터를 표에서 ..
2021.06.02 -
RF(Radio Frequency)와 Microwave의 차이
RF(Radio Frequency)라 함은 방사주파수라고 해석할 수 있다. 보통 전자파를 이용한 무선장비단을 통칭한다. RF는 microwave(초고주파)라는 용어와 다소 혼란의 여지가 있는데, 사전적인 정의로는 RF는 1Ghz이하, Microwave는 300Mhz~30Ghz의 전자파를 일컫기도 한다. 하지만 실제 RF라는 용어와 Microwave라는 용어는 구분없이 혼용하여 쓰는 경우가 더 많지만, Radio Frequency가 Microwave의 상위 개념으로 보는 것이 적당하다. Microwave는 주로 고주파대역 주파수를 의미하고, RF는 고주파를 이용하는 무선장비/공학을 의미하는 개념으로 한다. RF라 함은 일반적으로 대략 100~300Mhz 이상의 고주파 무선통신 및 고주파를 이용하는 장비설계..
2021.06.02 -
Static Balancing과 Dynamic Balancing은 무엇일까
Static 및 Dynamic Balancing은 회전(Ratating) 본체의 균형 조정에 대하여 얘기를 할때 다루어진다. 이는 기계 및 전기에 많이 사용되는데 알아보도록 하자. - 진동을 피하기 위해서는 회전하는 몸의 균형(Balancing)이 중요하다. 발전기 및 모터와 같은 중공업 기계의 동적 및 정적 균형 조정은 소음과 진동은 물론 고장을 야기할 수 있다. - Balancing을 잡기 위해서는 단순히 무게 중심을 회전의 중심으로 옮기는 것에 포함된다. 시스템이 완전히 균형을 이루려면 힘 및 커플 폴리곤을 모두 닫아야 한다. Static Balancing - Static, 정적 균형은 물체의 무게 중심이 회전축에있을 때 발생한다. 이를 통해 물체가 제동력을 가하지 않고도 수평 축으로 정지 상태를 ..
2021.05.26 -
SiC MOSFET/Si IGBT 복합형 스위치
SiC(실리콘카바드) 및 High Voltage Wide Bandgap 반도체는 기존의 Si(실리콘)에 비해 고유의 소재적 장점으로 많이 주목받고 있습니다. MOSFET이나 JFET와 같은 SiC 전원 스위치는 Si IGBT와 같은 실리콘 전원 장치보다 특히 스위칭 손실을 크게 줄일수 있는 좋은 특성을 지니고 있습니다. 하지만 이런 좋은 특성을 지니고 있음에도 더 고가의 재료와 제작 비용이라는 것이며, 고전압 MOSFET의 한가지 고유 단점은 On state Loss가 크다는 것입니다. Even for SiC MOSFETs. 특히, 고전압 및 고온에서 그런 단점이 더욱 두드러지는데 그에 비해 IGBT는 전도성 변화가 강해서 전압강하가 적지만, 차단 기간 중 Currnet tail에 의한 손실이 높습니다...
2021.05.26 -
Varistor Datasheet 용어 의미 정리
회로 및 소자를 Transient로부터 보호하기 위한 올바른 Varistor 선정은 데이터시트와 회로를 해석하는데에 달려있다. 데이터시트를 해석하기 위한 용어들에 대하여 알아보자. 1) 동작 전압 [Working Voltage, VW] a. 최대 연속적인 DC 전압을 의미하며, 바리스터의 파괴 없이 항상 사용이 가능한 전압이며, 정격 전압이라고도 함 b. 소자 양단의 누설전류를 측정하는 기준 전압 2) 바리스터 전압 [Breakdown Voltage, VB) a. 1mAdc를 인가할 때의 소자 양단에 걸리는 전압으로 정의b. 외부 전압에 대해 소자가 절연체 → 도체로 작동하기 위한 시작점3) 정전 용량 [Capacitance, Cp]a. 주파수 1MHz 또는 1kHz, 0.5~1Vrms에서 측정되는 정전..
2021.05.25