IGBT는 Isolated Gate Bipolar Transistor의 약자로 절연 게이트 양극 트랜지스터이다. IGBT는 전압 드라이브(구동) 유형 요소이다. - IGBT는 전압 드라이브 형식 요소이지만, 위에 표시된 것처럼 개별 단자 사이의 용량이 존재하기 때문에, gate를 on/off 하기 위해서는 입력 용량(Cies)의 충전/방전이 필요하다. 따라서 IGBT를 스위칭하기 위해서는 충전/방전 회로가 필요하다. 각 IGBT 요소마다 하나의 게이트 드라이브 회로가 필요하다. IGBT Driver은 무엇일까 - 아래 그림은 Gate 드라이브 회로를 개략적으로 그려낸 블록 다이어그램이다. Gate 드라이브 회로는 주로 3개의 섹션으로 구성된다. 하나는 전기적 신호를 차단하는 광연결자(opto-couple..

트랜지스터에 대한 글을 작성하기 앞서, 소음이 들리는 병원 침대에 엎드려 물리치료 받으며 휴식을 취하고, 야들야들한 머리고기가 들어간 국밥을 먹었다. 그리고 시원한 아이스아메리카노를 원샷하니 금상첨화(錦上添花, 그렇지 않아도 좋은데 그 위에 더 좋은 것을 보태는 것.) 가 따로 없다. 1. 1948년, 벨 전화 연구소에서 탄생 전자 시대였던 1948년, 트랜지스터의 발명은 전자 공업계에서 큰 충격이 되었다. 이 후 컴퓨터를 비롯한 전자 기술이 급속히 발전하였다. 현대의 전자기술이 우리세대에서 누리고 있을 수 있던 것도 노벨상을 수상한 세명의 위대한 물리학자 (W. 쇼크레, J. 버딘, W. 브랫틴) 덕분이다. 2. 게르마늄에서 실리콘으로 트랜지스터는 당초 게르마늄이란 물질(반도체)로 만들어졌다. 그러나 ..